项目信息

项目名称：金属有机物化学气相沉积（MOCVD）设备

项目编号：XF-WSBX-******

公告开始日期：2024-10-18 16:45:20

公告截止日期：2024-10-25 18:00:00

******大学

付款方式：货到付款，甲方在到货验收后15日内向乙方一次性支付本项目的总额

联系人：中标后在我参与的项目中查看

联系电话：中标后在我参与的项目中查看

签约时间要求：成交后7个工作日内

到货时间要求：成交后30个工作日内

预算：￥325000.00

******大学紫金港校区开物苑1号楼D02

供应商资质要求：符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件

公告说明：

采购清单

采购商品：金属有机物化学气相沉积（MOCVD）设备

采购数量：1

计量单位：台

所属分类：电子工业生产设备

预算：￥325000.00

技术参数及配置要求：- 用于生长砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）等III-V族化合物半导体，也可以生长硫化钼（MoS2）、硒化钨（WSe2）等过渡金属硫族化合物。
- 薄膜厚度范围：50nm至5μm。
- 可生长基片尺寸：最大支持4英寸（100mm）。
- 最高温度：1100℃。
- 控制精度：±1℃。
- 加热速率：50℃/min。
- 冷却速率：30℃/min。
- 工作压力范围：50 - 10k Pa。
- 流量范围：10 sccm 至 10000 sccm。控制精度：±1%。
- 旋转速度范围：0 rpm 至 1000 rpm。
- 倾斜角度范围：0°至10°。
- 支持多种金属有机化合物。
- 源物质供给精度：±0.5%。
- 沉积均匀性：≤±5%。
- 沉积重复性：≤±5%。
- 全自动-手动可切换控制。
- 数据采集与分析软件。
- 用户友好的图形界面。
- 包含泄露检测、紧急停止功能。

售后服务：服务网点:当地;电话支持:7x24小时;质保期:3年;服务时限:报修后8小时;销售资质:协议供货商;商品承诺:原厂全新未拆封正品;